工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT-A

工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀適用范圍：

GB/T 12636-1990 微波介質(zhì)基片復(fù)介電常數(shù)帶狀線測(cè)試方法

GB/T 5597-1999 固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法

GB/T 1693-2007 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法

GB/T 11310-1989 壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法 相對(duì)自由介電常數(shù)溫度特性的測(cè)試

GB/T 11297.11-1989 熱釋電材料介電常數(shù)的測(cè)試方法

GB/T 7265.1-1987 固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法 微擾法

GB/T 7265.2-1987 固體電介質(zhì)微波復(fù)介電常數(shù)的測(cè)試方法 開式腔法

GB/T 5594.4-2015 電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法 第4部分：介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法

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GB/T 5654-2007 液體絕緣材料 相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量

GB/T 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法

GB/T 5594.4-1985 電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法 介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法

GB/T 1693-2007 硫化橡膠 介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法

GB/T 3048.11-2007 電線電纜電性能試驗(yàn)方法 第11部分：介質(zhì)損耗角正切試驗(yàn)

GB/T 11297.9-1989 熱釋電材料介質(zhì)損耗角正切 tan δ的測(cè)試方法

GB/T 3334-1999 電纜紙介質(zhì)損耗角正切(tgδ)試驗(yàn)方法(電橋法)

GB/T 1411-2002 干固體絕緣材料 耐高電壓、小電流電弧放電的試驗(yàn)

GB/T 4207-2012 固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法

GB/T 3048.7-2007 電線電纜電性能試驗(yàn)方法 第7部分：耐電痕試驗(yàn)

GB/T 6553-2014 嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料 評(píng)定耐電痕化和蝕損的試驗(yàn)方法

技術(shù)指標(biāo) ：
1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：5～999。
b．Q值量程分檔：30、100、300、999、自動(dòng)換檔。
c．標(biāo)稱誤差
頻率范圍：25kHz～10MHz；
固有誤差：≤5%±滿度值的2%；工作誤差：≤7%±滿度值的2%；
頻率范圍：10MHz～50MHz；
固有誤差：≤7%±滿度值的2%；工作誤差：≤10%±滿度值的2%。
2．電感測(cè)量
a．測(cè)量范圍：0.1μH～1H。
b．分 檔：分七個(gè)量程。
0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH，
0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。
3．電容測(cè)量
a．測(cè)量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測(cè)量見使用規(guī)則)；
b．電容量調(diào)節(jié)范圍
主調(diào)電容器：40～500pF；
準(zhǔn) 確 度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1%；
微調(diào)電容量：－3pF～0～+3pF；
準(zhǔn) 確 度：±0.2pF。
4．振蕩頻率
a．振蕩頻率范圍：25kHz～50MHz；
b．頻率分檔：
25～74kHz， 74～213kHz， 213-700kHz， 700kHz～1.95MHz，
1.95MHz～5.2MHz， 5.2MHz～17MHz， 17～50MHz。
c．頻率誤差：2×10±1個(gè)字。
5．Q合格指示預(yù)置功能，預(yù)置范圍：5～999。
6．儀器正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
b．相對(duì)濕度：<80%；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
7．試樣尺寸
圓片形：厚度2+0.5mm，直徑為Φ30~40mm（ε<12時(shí)），Φ25~35mm（ε=12~30時(shí)），Φ15~20mm（ε>30時(shí)）
8．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

 介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀讀書清晰,無須換算,操作簡(jiǎn)便,特別適合電子元器件的質(zhì)量分析,品質(zhì)控制,科研生產(chǎn),也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學(xué)等專業(yè)作科研實(shí)驗(yàn)儀器.
2.技術(shù)指標(biāo)

2.1  測(cè)量范圍及誤差

    本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對(duì)濕度為30％－80％條件下，應(yīng)滿足

下列表中的技術(shù)指示要求。

    在Cn＝100pF    R4＝3183.2（W）（即10K/π）時(shí) 

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       40pF--20000pF      ±0.5%  Cx±2pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0～1              ±1.5％tgdx±0.0001

    在Cn＝100pF      R4＝318.3（W）（即1K/π）時(shí)

    測(cè)量項(xiàng)目       測(cè)量范圍             測(cè)量誤差               

    電容量Cx       4pF--2000pF      ±0.5%  Cx±3pF     

    介質(zhì)損耗tgd      0～0.1          ±1.5％tgdx±0.0001

2.2  電橋測(cè)量靈敏度

    電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度，

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量

成正比。

    在下面的計(jì)算公式中，用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這

個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

         式中：Ｕ為測(cè)量電壓                     伏特（Ｖ）

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

          Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法（pＦ）

          Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10            安培（Ａ）

          Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆（W）

          Ｒ４橋臂R4電阻值3183                 歐姆（W）

          Ｃｘ被測(cè)試品電容值                    皮法（ｐF）

2.3 電容量及介損顯示精度：

    電容量： ±0.5%×tgδx±0.0001。

    介  損： ±0.5％tgdx±1×10-4

2.4 輔橋的技術(shù)特性：

    工作電壓±12V，50Hz

    輸入阻抗>1012 W

    輸出阻抗>0.6 W

    放大倍數(shù)>0.99

    不失真跟蹤電壓  0～12V（有效值）

2.5 指另裝置的技術(shù)特性：

    工作電壓±12V

    在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格

    二次諧波  減不小于25db

    三次諧波  減不小于50db