可進(jìn)行樣品局部輻射干擾實(shí)驗(yàn)。以尖頭端部分為中心可以向周圍發(fā)出射頻(RF)干擾,因此可以局部對(duì)基板及IC芯片進(jìn)行抗干擾實(shí)驗(yàn)。使用頻率為3GHz,可以達(dá)到約30W干擾功率。
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