產(chǎn)品特點(diǎn):
JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 節(jié)點(diǎn)的掩模版/中間掩模版(mask/reticle)的可變矩形電子束光刻系統(tǒng)。
zei的技術(shù)實現(xiàn)了高速、高精度和高可靠性。
是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進(jìn)重復(fù)式的光刻系統(tǒng)
利用步進(jìn)重復(fù)式曝光的優(yōu)點(diǎn),結(jié)合曝光劑量調(diào)整功能及重疊曝光等功能,能支持下一代掩模版/中間掩模版(mask/reticle)圖形制作所需要的多種補(bǔ)償。
產(chǎn)品規(guī)格:
| 拼接精度 | ≦±3.8 nm |
| 套刻精度 | ≦±7 nm |




















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