JBX-6300FS的電子光學(xué)系統(tǒng)在100kV的加速電壓下能自動調(diào)整直徑為(計算值)2.1nm的電子束,簡便地描畫出線寬在8nm以下(實際可達(dá)5nm)的圖形。
此外,該光刻系統(tǒng)還實現(xiàn)了9nm以下的場拼接精度和套刻精度,性能比。
利用最細(xì)電子束束斑(實測值直徑≦2.9nm)可以描畫8nm以下(實際可達(dá)5nm)極為精細(xì)的圖形。本公司的DF/DS系統(tǒng)能對電子束偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生的畸變進(jìn)行校正,具有球差和象散自動補償功能,可在場邊角、場邊界處進(jìn)行高精度地描畫。
該系統(tǒng)采用了19位DAC和樣品臺控制精度為0.6nm的激光干渉儀,實現(xiàn)了業(yè)界水準(zhǔn)的位置精度、拼接、套刻精度(±9nm)。 可用于位置精度要求很高的光子器件、通信設(shè)備等領(lǐng)域的研究和開發(fā)。
本公司獨自的自動校正功能(自動補償功能),實現(xiàn)了可信賴的長時間穩(wěn)定地描畫。自動補償可以根據(jù)時間(任意的)、場和圖形進(jìn)行分別設(shè)定,非常適合于周末及休假等無人值守等情況下的長時間描畫。
掃描速度高達(dá)50MHz,再加上地抑制了機(jī)器的準(zhǔn)備操作時間,因此縮短了描畫時間,到描畫開始為止的作業(yè)非常簡單,聚焦也能夠自動進(jìn)行,因而能提高總產(chǎn)出量。
使用自動裝載系統(tǒng)(選配),最多可以連續(xù)描畫10個樣品架。(例:可連續(xù)描畫10張6英寸的晶圓片或者40張2英寸的晶圓片等?!B續(xù)描畫時,需要和材料數(shù)相應(yīng)的樣品架。)目前在日本國內(nèi)外已有這樣的生產(chǎn)線。
利用微間距控制程序(場尺寸精調(diào)程序),可以制作DFB激光器等的啁啾光柵。
| 電子槍 | ZrO/W 肖特基型 |
|---|---|
| 描畫方式 | 描畫方式 |
| 加速電壓 | 25kV (選配), 50kV, 100kV |
| 樣品尺寸 | 200mmΦ的晶圓片, 5英寸或 6英寸的掩模版, 任意尺寸的的微小樣品。 |
| 樣品尺寸 | 2000μmX2000μm |
| 樣品臺移動范圍 | 190mmX170mm |
| 套刻精度 | ≦±9nm |
| 場拼接精度 | ≦±9nm |
| 掃描速度 | 50MHz |




















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