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VBTS-M系列通用型集成電路老練和測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng)深圳市遠(yuǎn)東騰輝科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2026/4/13 13:30:23
  • 訪問(wèn)次數(shù)77
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深圳市遠(yuǎn)東騰輝科技有限公司由遠(yuǎn)東騰輝集團(tuán)投資創(chuàng)建于2002年,是一家集代理、研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售于一體的綜合型科技公司。公司立足深圳,面向全國(guó),堅(jiān)持“推理念、理論和解決方案”的模式,旨在推動(dòng)中國(guó)的可靠性應(yīng)用技術(shù)和試驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展。公司提供一站式的可靠性試驗(yàn)產(chǎn)品,層級(jí)包括了器件級(jí)可靠性,PCB可靠性、模塊級(jí)可靠性和系統(tǒng)級(jí)可靠性的測(cè)試需求。公司成立至今,已成功將下列多項(xiàng)當(dāng)今國(guó)際上的可靠性試驗(yàn)技術(shù)和設(shè)備引入中國(guó),大幅度提高了國(guó)內(nèi)產(chǎn)品研發(fā)和制造的可靠性
粉塵試驗(yàn)箱
UBTS系統(tǒng)被廣泛應(yīng)用于器件研發(fā)、認(rèn)證和批量生產(chǎn)中,其靈活、*的測(cè)試報(bào)告軟件可以為研發(fā)工程師和可靠性工程師提供豐富的信息
VBTS-M系列通用型集成電路老練和測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

UBTS系統(tǒng)被廣泛應(yīng)用于器件研發(fā)、認(rèn)證和批量生產(chǎn)中,其靈活、*的測(cè)試報(bào)告軟件可以為研發(fā)工程師和可靠性工程師提供豐富的信息。

 

適用范圍:

♦ 大規(guī)模數(shù)字集成電路:MCU、DSP、FPGA、CPU、邏輯器件、接口器件和驅(qū)動(dòng)器件等

♦ 存儲(chǔ)器集成電路:SRAM、DRAM、SDRAM、DDR2、EEPROM,Nand Flash(PARALLEL, SERIAL),Nor Flash (PARALLEL SERIAL)等

♦ 混合集成電路:ADC,DAC,DC/DC,Smart power supplier,OP-AMP,Voltage Regulator,Analog Switch,Analog Multiplexer等;

♦ 特殊器件:ASIC、SOC、Medical、Sensor和客戶(hù)定制等器件。

 

產(chǎn)品特點(diǎn):

♦ 基于無(wú)二功能的PTDM模塊,將圖形產(chǎn)生和測(cè)試驅(qū)動(dòng)合二為一;

♦ 50MHz的系統(tǒng)主時(shí)鐘,可以實(shí)現(xiàn)高頻率的功能測(cè)試;最小可編程脈沖寬度10ns;

♦ 實(shí)現(xiàn)了老化情況下的器件功能測(cè)試;

♦ 一臺(tái)系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字集成電路、存儲(chǔ)器電路和混合集成電路的老化和功能測(cè)試;

♦ 容易實(shí)現(xiàn)批器件的可靠性評(píng)估及性能參數(shù)分布分析,如批存儲(chǔ)器10萬(wàn)次的有效擦寫(xiě)可靠性評(píng)估等;

♦ 每個(gè)BIB對(duì)應(yīng)一個(gè)PTDM模塊,每個(gè)PTDM模塊都有自己的微處理器單元,使不同的BIB可以單獨(dú)運(yùn)行不同類(lèi)型的老煉程序(利用Firmware);

♦ 12到48插槽的老煉箱可以選擇,還能為客戶(hù)提供定制的老煉箱柜;

♦ 每個(gè)PTDM模塊,可以配置多達(dá)6個(gè)程控電源(選件);可為每個(gè)老化板提供高達(dá)104A的老化電流,提高了每個(gè)老化板的老化器件的數(shù)量。老化電壓可以并聯(lián)使用;

♦ 另外每個(gè)PTDM模塊還配置了4路可編程參考電源(Vref);

♦ 配合EDA的HD/H型BIB,有多達(dá)480個(gè)金手指和44個(gè)低插入力的電源通道,大大提升了提供給每個(gè)老化板的綜合電流能力。每個(gè)老化板的信號(hào)連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)15A;

♦ 1G超大矢量存儲(chǔ)器;

♦ 每個(gè)PTDM模塊均有時(shí)鐘發(fā)生器、地址發(fā)生器(包括1個(gè)16位加減Refresh地址計(jì)數(shù)器)、數(shù)據(jù)發(fā)生器、掃描發(fā)生器、圖形發(fā)生器和信號(hào)格式化器等信號(hào)發(fā)生能力,滿(mǎn)足各種器件的功能測(cè)試要求;

♦ 算法圖形發(fā)生器實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器激勵(lì)信號(hào)的產(chǎn)生和輸出信號(hào)監(jiān)測(cè)

♦ I/O通道均具備三態(tài)編程控制及信號(hào)格式化(NRZ, DNRZ, RTZ, RTO, SBC,FORCE)能力,最多可以多達(dá)16組;

♦ 具備拓?fù)浼岸嗦忿D(zhuǎn)換功能;

 

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格或主要參數(shù):

♦ 老化箱溫度范圍:RT+20℃~+150℃或-40℃~+150℃可選;

♦ 12插槽、24插槽和48插槽老化箱可選,PTDM模塊可以任意選配;

♦ HD/H老化板標(biāo)準(zhǔn)尺寸:440mm X 570mm;

♦ 每個(gè)PTDM模塊的主要參數(shù):

 ? 1G矢量存儲(chǔ)器和失效存儲(chǔ)器;

 ? 主時(shí)鐘:50MHz,定時(shí)分辨率:10ns;

 ? 最多可提供256 I/O通道,48個(gè)激勵(lì)信號(hào)通道和32個(gè)特殊監(jiān)測(cè)通道;

 ? 多達(dá)4組不同的Vih和Vil數(shù)字信號(hào)電平編程設(shè)置能力,保證混合工藝器件的功能測(cè)試能力;

 ? Vih編程范圍:0-8V、Vil編程范圍():-0.5V~2V;測(cè)試閾值電平Vth編程范圍:0V~8V;

 ? 48路激勵(lì)通道具備超高信號(hào)高電平Vihh的編程能力,編程范圍:0V~15V;

 ? On-the -fly時(shí)鐘邊沿設(shè)置數(shù)量:32個(gè);

 ? I/O通道具備N(xiāo)RZ, DNRZ, RTZ, RTO等格式化編程能力;

 ? 通道矢量深度:32M

 ? 每個(gè)信號(hào)通道的連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流能力:200mA,峰值驅(qū)動(dòng)電流:3A;

 ? 4路可編程參考電壓,另外最多可選配6組程控老化電源,可為單個(gè)老化板提供108A老化電流;

 ? 可選配模擬模塊,每個(gè)模塊的模擬通道:4路,具備各種標(biāo)準(zhǔn)模擬信號(hào)的產(chǎn)生能力;

 

未找到相應(yīng)參數(shù)組,請(qǐng)于后臺(tái)屬性模板中添加
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