CGO-4高低溫真空探針臺產(chǎn)品介紹:
溫度范圍77K-675K;
可應(yīng)用于真空及常規(guī)環(huán)境;
超高溫度分辨率;
特殊客制低溫系統(tǒng);
具有穩(wěn)定性
特點(diǎn)/應(yīng)用
◆ 2至6英寸樣品臺
◆ 高真空腔體
◆ 防輻射屏設(shè)計(jì),樣品溫度均勻性更好
◆ 77K-675K高低溫環(huán)境
◆ 兼容IV/CV/RF測試
◆ 外置多探針臂,移動行程大
◆ 經(jīng)濟(jì)實(shí)用,可無縫升級
極低溫測試:
因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測試時,空氣中的水汽會凝結(jié)在晶圓上,會導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走,并且保持整個測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測試時,空氣中的水汽會凝結(jié)在晶圓上,會導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走,并且保持整個測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測試:
當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時,氧化現(xiàn)象會越來越明顯,并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會導(dǎo)致晶圓電性誤差,物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走,并且保持整個測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換,因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象,定位好的探針與器件電極間會有相對位移,這時需要針座的重新定位,針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調(diào)整探針的位置。






















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