四探針測(cè)試儀采用四點(diǎn)探針法與范德堡測(cè)量原理,可完成方塊電阻、電阻率、電導(dǎo)率、厚度等參數(shù)測(cè)量。設(shè)備支持自動(dòng)正負(fù)電流輸出、自動(dòng)正負(fù)電壓測(cè)量,搭配 PC 軟件與液晶顯示,適用于半導(dǎo)體、晶圓、硅片、導(dǎo)電薄膜、納米材料、太陽(yáng)能電池、觸摸屏等材料的電性能檢測(cè)。
功能特點(diǎn)
采用四探針法測(cè)量,數(shù)據(jù)穩(wěn)定
自動(dòng)輸出正負(fù)電流,自動(dòng)測(cè)量正負(fù)電壓
支持溫度補(bǔ)償與量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換
配備 PC 軟件,可生成 2D/3D 掃描圖譜、數(shù)據(jù)報(bào)表
探針壓力可調(diào),探針間距可選
具備限位、過載、壓力保護(hù)與異常警報(bào)
支持中英文界面、通訊接口數(shù)據(jù)傳輸
可搭配高溫環(huán)境、真空環(huán)境、晶圓載臺(tái)使用
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
ASTM F84、GB/T 1551、GB/T 1552、GB/T 26074、GB/T 14141、GB/T 37152
系列型號(hào)與技術(shù)參數(shù)
FT-3110B 全自動(dòng)四探針測(cè)試儀
方塊電阻:10??~2×10? Ω/□
電阻率:10??~2×10? Ω?cm
測(cè)試電流:0.1μA~1A
探針間距:1mm,壓力 100–500g 可調(diào)
載臺(tái):2–12 寸晶圓 / 153mm 方片可選
測(cè)試模式:?jiǎn)吸c(diǎn)、五點(diǎn)、九點(diǎn)、面掃描、直徑掃描
重復(fù)性:≤0.5%
FT-330/340 系列四探針測(cè)試儀
方塊電阻:10??~2×10? Ω/□
電阻率:10??~2×10? Ω?cm
測(cè)試電流:0.1μA~100mA
精度:≤0.3%
探針間距:1mm/2mm/3mm 可選
顯示:液晶中英文界面
FT-361/371/394C 低阻 / 高阻 / 手持型
FT-361B 低阻:10??~2×10? Ω?cm
FT-371A 高阻:10??~10? Ω?cm
FT-394C 手持式:充電電池,便攜測(cè)試
探頭:直線型、方型可選,材質(zhì)鎢鋼 / 鍍金銅針
FT-351 高溫四探針測(cè)試儀
溫度范圍:常溫~1200℃可選
控溫精度:±1℃
電極:鎢電極、鉑銠電極可選
樣品臺(tái):高溫陶瓷,適配固 / 液體樣品
可測(cè)高溫下電阻、電阻率、電導(dǎo)率曲線
FT-3120B 半自動(dòng)四探針測(cè)試儀
電阻率:10??~2×10? Ω?cm
探針壓力:100–550g 可調(diào)
支持晶片尺寸:2–12 寸晶圓 / 156mm 方片
模式:自動(dòng) / 手動(dòng)單點(diǎn)測(cè)試
保護(hù):限位、壓力防護(hù)
適用材料
硅片、晶圓、非晶硅、微晶硅、半導(dǎo)體襯底、擴(kuò)散片、鈍化片、PN 結(jié)、導(dǎo)電薄膜、ITO 膜、OLED、LCD、太陽(yáng)能電池、鐵電材料、納米材料、金屬鍍層等。
適用場(chǎng)景
半導(dǎo)體工廠、新能源企業(yè)、材料研發(fā)、高校實(shí)驗(yàn)室、科研院所、質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、生產(chǎn)質(zhì)控。
可選配件
四探針探頭、鎢鋼針、鍍金銅針
2–12 寸晶圓載臺(tái)、方片載臺(tái)
標(biāo)準(zhǔn)電阻、測(cè)試線、分析軟件
電腦打印機(jī)、計(jì)量證書、延保服務(wù)
高溫樣品臺(tái)、高溫電極、氣氛保護(hù)裝置
粉體與材料配套方案
可搭配粉末電阻率測(cè)試儀、壓實(shí)密度儀、振實(shí)密度儀、流動(dòng)測(cè)試儀等設(shè)備,組成完整電性能與物性檢測(cè)系統(tǒng)






























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