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巴斯夫重磅推出針對新一代絕緣柵雙極晶體管(IGBT)半導體的高性能PPA材料

2024-10-16 10:51:25 來源:巴斯夫 閱讀量:19217 評論
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  針對新一代的電力電子設(shè)備,巴斯夫開發(fā)出了一種聚鄰苯二甲酰胺(PP),這種材料尤其適合制造IGBT的半導體外殼。Uitramid®AdvancedN3U41G6能夠滿足電動汽車、高速列車、智能制造和可再,生能源等領(lǐng)域?qū)τ诟咝阅堋⒖煽侩娮釉找嬖鲩L的需求。作為電力電子設(shè)備領(lǐng)域的全球技術(shù)領(lǐng)導者,SemikronDanfoss目前采用巴斯夫PPA作為其光伏和風能系統(tǒng)逆變器中的Semitrans1oIGBT外殼材料。UItramid®AdvancedN系列具備出色的耐化學性和尺寸穩(wěn)定性,可以提高IGBT的堅固性、長期性能及可靠性,從而滿足日益增長的節(jié)能、更高功率密度以及提效需求。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)電力電子設(shè),備中電路的高效切換與控制。
 
 
  “IGBT是現(xiàn)代電子設(shè)備的關(guān)鍵元件,尤其在可再生能源領(lǐng)域。"SemikronDanfoss研發(fā)與預研部JornGrossmann表示,“IGBT必須在更高的溫度條件下工作,且同時要保持長期穩(wěn)定性及高性能。得益于巴斯夫PPA材料的獨特性能,Semitrans10為性能與效率立下了新標桿。該材料即使在嚴苛環(huán)境中也能表現(xiàn)出卓越的電氣絕緣性能;并且在裝配過程出現(xiàn)短期溫度峰值時,它也具備出色的堅固性。因此我們選擇了此款材料。”高性能材料與智能設(shè)計相結(jié)合,能夠提升切換速度、降低傳導損耗以及,化熱管理,進而滿足電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵需求。
 
  如今廣泛應(yīng)用在IGBT中的是巴斯夫的一款成熟產(chǎn)品UItradur®(PBT:聚對苯二甲酸丁二醇酯)。而在快速發(fā)展的電力電子設(shè)備中,新推出的PPA可滿足新一代IGBT的各種嚴苛要求。比如,材料能夠承受,更高的溫度,持續(xù)保持電氣絕緣性能,以及在潮濕、灰塵和污垢等具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境條件下保持尺寸,穩(wěn)定性。采用無鹵阻燃劑的激光敏感UItramid®AdvancedN3U41G6具備強大的熱穩(wěn)定性、低吸水性,以及出色的電氣性能。其特點在于高達600的CT1值(CTI:相對漏電起痕指數(shù),依據(jù)IEC60112):與,自前用于電源升關(guān)的材料相比,這種材料漏電更少、絕緣性能更佳,可以更有助于IGBT微型化。UL認證系列產(chǎn)品具有高達150°C的電氣RTI值(RTI:相對溫度指數(shù))。
 
  巴斯夫電力電子設(shè)備高級應(yīng)用專家JochenSeubert表示:“巴斯夫PPA改性產(chǎn)品面向全球供應(yīng)且提供樣品展示。我們以客戶為中心,提供部件開發(fā)方面的技術(shù)支持,希望這一創(chuàng)新材料能夠為電力電子設(shè)備的發(fā)展作出重大貢獻,推動全球可再生能源轉(zhuǎn)型的進程。”在IGBT制造過程中,將金屬引腳與夾具注塑成型后,巴斯夫PPA可與半導體封裝材料兼容。
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