單晶及取向性材料的生長和應(yīng)用過程中相對于外表面或其它幾何特征的表征方法。晶體取向測試和單晶質(zhì)量評估越來越受到研究員的重視。X射線衍射法是檢測材料晶體結(jié)構(gòu)的主要手段，但是常規(guī)X射線衍射法和儀器由于探頭只能