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坩堝（樣品臺）可移動(dòng)型1200℃管式爐OTF-1200X-S-HPCVD

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產(chǎn)品簡介

坩堝（樣品臺）可移動(dòng)型1200℃管式爐OTF-1200X-S-HPCVD

詳細(xì)介紹

OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內(nèi)移動(dòng)（靠步進(jìn)電機(jī)控制）的小型開啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設(shè)備工作溫度為1200℃。
設(shè)備特點(diǎn)：坩堝通過一步進(jìn)電機(jī)控制爐管，按照設(shè)定程序移動(dòng)，同時(shí)坩堝后端安裝一熱電偶（隨坩堝儀器移動(dòng))，可實(shí)時(shí)監(jiān)測樣品的溫度，意味著可通過移動(dòng)坩堝的位置，在爐體中準(zhǔn)確找到實(shí)驗(yàn)所需要的溫度，使得實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確度更高，重復(fù)性更強(qiáng)。此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn)，比如HPCVD（hybrid physical chemical deposition），快速熱蒸發(fā)，也可用于水平布里奇曼（Bridgman）法來長晶體。

技術(shù)參數(shù)
高溫爐部分	● 爐體設(shè)計(jì)為開啟式，以便于更換爐管 ● 工作電源：208 - 240 VAC, 50/60Hz ● 功率為：2KW ● 工作溫度：1200℃（<1hr) ● 連續(xù)工作溫度：1100℃ ● 加熱區(qū)長度：200mm ● 恒溫區(qū)長度：60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ ) 注：由于測量手段及外部環(huán)境的影響，測量結(jié)果可能會有偏差，此參數(shù)僅供參考不作為該設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)。您購買產(chǎn)品需要準(zhǔn)確的恒溫區(qū)數(shù)據(jù)，請與我公司銷售人員聯(lián)系 ● 爐管：高純石英管，尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)（點(diǎn)擊圖片查看詳細(xì)資料）
溫度控制系統(tǒng)	● 采用PID30段程序化控溫，其控溫精度為+/-1℃ ● 控溫儀表操作視頻 ● 設(shè)有過熱和斷偶保護(hù) ● 熱電偶采用K型熱電偶
真空密封	● 采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭，硅膠密封圈密封 ● 法蘭上安裝有一機(jī)械壓力表 ● 右端法蘭與一個(gè)真空不銹鋼波紋管連接（不銹鋼波紋管伸縮幅度為150mm) ● 真空度：10-2Torr(用機(jī)械泵抽）10-5Torr(用分子泵抽）
坩堝移動(dòng)機(jī)構(gòu)&PLC控制	● 一個(gè)直徑為1/4＂的歐米伽鎧裝熱電偶（K型），通過法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動(dòng)，可實(shí)時(shí)監(jiān)測樣品的實(shí)際溫度 ● 通過步進(jìn)電機(jī)移動(dòng)爐管內(nèi)的坩堝（樣品臺），行程為100mm，移動(dòng)精度為1mm ● 通過觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標(biāo)位置，坩堝移動(dòng)速度為180mm/min(更精確的移動(dòng)速度，可與本公司聯(lián)系定制，需額外收費(fèi)） ● 可觀察下圖，了解坩堝與熱電偶的安裝方法
加熱速率和冷卻速率	可通過移動(dòng)樣品到已預(yù)加熱的爐體中來得到的加熱速率，也可將樣品迅速移除高溫的爐體，來得到的降溫速率
加熱速率和冷卻速率	加熱速率 10℃/sec (150℃ - 250℃); 7℃/sec (250℃ - 350℃); 4℃/sec (350℃ - 500℃); 3℃/sec (500℃ - 550℃); 2℃/sec (550℃ - 650℃); 1℃/sec (650℃ - 800℃); 0.5℃/sec (800℃ - 1000℃);	降溫速率 10℃/sec (950℃ - 900℃); 7℃/sec (900℃ - 850℃); 4℃/sec (850℃ - 750℃); 2℃/sec (750℃ - 600℃); 1.5℃/sec (600℃ - 500℃); 1℃/sec (500℃ - 400℃); 0.5℃/sec (400℃ - 300℃);
可選配件	● 可選購手動(dòng)擋板閥（圖1） ● 防腐型數(shù)顯真空計(jì)（圖4） ● 快速連接法蘭，以方便于放置樣品（圖2） ● 多路質(zhì)量流量計(jì)控制的混氣系統(tǒng)，用于CVD和DVD實(shí)驗(yàn)（圖5）
尺寸
質(zhì)保	一年質(zhì)保期，終生維護(hù)（不含加熱元件、爐管和密封圈）
質(zhì)量認(rèn)證	● CE 認(rèn)證 ● 所有電器元件（>24V）都通過 UL / MET / CSA 認(rèn)證 ● 若客戶出認(rèn)證費(fèi)用，本公司保證單臺設(shè)備通過德國 TUV 認(rèn)證或 CAS 認(rèn)證
使用注意事項(xiàng)：	● 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa ● 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時(shí)會更加精確安全 ● 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài) ● 進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊 ● 石英管的長時(shí)間使用溫度＜1100℃ ● 對于樣品加熱的實(shí)驗(yàn)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）
應(yīng)用	● 此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn)，以下列出了幾種實(shí)驗(yàn)方法 ● RTE（快速熱蒸發(fā)）：蒸發(fā)料放在坩堝中，放入到爐體中心，基片放在樣品臺上，樣品臺與熱電偶相連接，然后將樣品臺移動(dòng)到理想的位置（此位置溫度是實(shí)驗(yàn)所需要的溫度） ● HPCVD（混合物理化學(xué)沉積）：與RTE相似，但需配混氣系統(tǒng)，對反應(yīng)氣體混合并控制流量，同時(shí)也需設(shè)定蒸發(fā)料的位置（確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度） ● 水平布里奇曼（Bridgman）法來長晶體：將樣品和籽晶放入到坩堝中，并將坩堝放入到爐體中心位置，然后設(shè)定坩堝移動(dòng)速度，慢慢移動(dòng)坩堝