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飛諾飛科技（上海）有限公司
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銷售金硅面壘型半導(dǎo)體探測器

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地上海市

更新時(shí)間：2026-01-21 02:11:12瀏覽次數(shù)：466次

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我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。

金硅面壘型半導(dǎo)體探測器

概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。

 

技術(shù)規(guī)格

 

 

型號(hào)

 

 

工作電壓

 

 

耗盡區(qū)厚度 μm

對比ORTEC

U-016-300-100 型

探測器

（Am-241 面源） 真空下測量能量分辯率 1.2?

對比ORTEC

U-016-300-100 型

探測器

（Am-241 面源） 真空下測量峰道址202

A-AS20

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

A-AS26

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

B-AS20

5~300VDC

大于 1000

4.0~4.9?

189-191

B-AS26

5~300VDC

大于 1000

4.2~4.9?

189-191


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