高精度、高穩(wěn)定性、低泄漏、耐腐蝕、超高純氣體、快速響應、數(shù)字顯示、RS485 通訊、MFC 質量流量控制、CVD/PECVD/ALD 適用、半導體級、防爆、長壽命，

超高精度 ±0.2%~±0.5% FS，重復性≤±0.1%，精準匹配 CVD/PECVD/ALD 薄膜沉積工藝，保障膜厚均勻與批次一致性。

超高純氣體適配流道316L EP/BA 級電解拋光無吸附、無殘留；泄漏率≤1×10?? atm?cc/s，滿足半導體 ppb 級超高純氣體輸送要求。

強耐腐蝕設計關鍵部件選用哈氏合金兼容硅烷、氨氣、氟化物、氯化物等強腐蝕特氣，延長設備壽命、降低維護成本。

微小流量穩(wěn)定控制支持sccm 級微量控制，低流量不抖動、不斷流，適配薄膜沉積、原子層沉積等精密成膜工藝。

毫秒級快速響應響應時間 **≤1ms**，快速跟隨工藝設定，抑制壓力 / 溫度波動，提升成膜效率與良率。

全金屬密封?安全可靠焊接 / VCR 金屬密封結構，無老化、無泄漏，適配易燃易爆 / 有毒特種氣體，滿足半導體安全標準。

智能數(shù)字通訊標配RS485/Modbus，支持遠程控制、數(shù)據(jù)追溯，無縫對接 DCS/PLC 自動化系統(tǒng)。