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PN8165 30w快充芯片

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產(chǎn)品型號(hào)PN8165PD-A1/PN8165SE-A1

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Chipown/芯朋微

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芯朋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

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Chipown芯朋微

SLAN士蘭微

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PN816530w快充芯片通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的效率

詳細(xì)介紹

　　PN8165 30w快充芯片通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的效率。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)?！　?/div>

　　PN8165提供了極為全面和性能優(yōu)異的保護(hù)功能，包括輸出過壓保護(hù)、逐周期過流保護(hù)、過載保護(hù)、軟啟動(dòng)、輸入欠壓保護(hù)功能等。內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源?！　?/div>

　　PN8165 30w快充芯片特性　　

　　■ 內(nèi)置690V高雪崩能力的功率MOSFET　　

　　■ 準(zhǔn)諧振工作　　

　　■ 開關(guān)頻率125kHz　　

　　■ 外圍精簡(jiǎn)，無需啟動(dòng)電阻及CS檢測(cè)電阻　　

　　■ 高低壓腳位兩側(cè)排列提高安全性　　

　　■ 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)，空載待機(jī)功耗<50mW@230VAC　　

　　■ 改善E的頻率調(diào)制技術(shù)　　

　　■ 供電電壓9-38V,適合寬輸出電壓應(yīng)用　　

　　■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能　　

　　■ 令過溫保護(hù)　　

　　■ 輸出過壓保護(hù)　　

　　■ 輸入欠壓保護(hù)　　

　　■ 逐周期過流保護(hù)　　

　　■ 輸出短路保護(hù)　　

　　■ 次級(jí)整流管短路保護(hù)　　

　　■ 過負(fù)載保護(hù)

　　封裝典型功率

　　典型應(yīng)用電路圖

　　應(yīng)用領(lǐng)域　　

　　■ 充電器　　

　　■ 適配器　　

　　■ 開放式開關(guān)電源

　　PN8165高性能準(zhǔn)諧振交直流轉(zhuǎn)換芯片是30w快充芯片，典型應(yīng)用于30W PD套片方案，搭配次級(jí)主控PN8307H(A)及OT23-3 Boost芯片AP2080，輕松實(shí)現(xiàn)輸出功率20W向30W的快速升級(jí)迭代。更多方案特點(diǎn)、應(yīng)用原理圖、變壓器設(shè)計(jì)、測(cè)試數(shù)據(jù)及應(yīng)用要點(diǎn)請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>

關(guān)鍵詞：控制器

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