一、簡要介紹

晶體生長爐可用于多晶錠的定向凝固，通過控制溫度梯度、物質(zhì)傳輸速率及生長參數(shù)，實現(xiàn)單晶的高效、高質(zhì)量生長，適用于碳化硅、單晶硅等材料的制備。

該設備主要由設備主體、爐管法蘭組件、控制面板、感應線圈移動機構(gòu)、物料升降機構(gòu)、高真空系統(tǒng)、水冷機等組成。

該設備設計溫度為1500℃，PID 程序控溫（自整定調(diào)節(jié) 30段可調(diào)程序控溫）；

感應線圈可升降可更換圈數(shù)，移動行程：200mm，移動速度：1-3mm/h；

內(nèi)含載物坩堝，坩堝配有升降機構(gòu)，最大行程：200mm，有熱電偶實時測溫；

二、技術(shù)參數(shù)