一、簡(jiǎn)要介紹

晶體生長(zhǎng)爐可用于多晶錠的定向凝固，通過控制溫度梯度、物質(zhì)傳輸速率及生長(zhǎng)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)單晶的高效、高質(zhì)量生長(zhǎng)，適用于碳化硅、單晶硅等材料的制備。

該設(shè)備主要由設(shè)備主體、爐管法蘭組件、控制面板、感應(yīng)線圈移動(dòng)機(jī)構(gòu)、物料升降機(jī)構(gòu)、高真空系統(tǒng)、水冷機(jī)等組成。

該設(shè)備設(shè)計(jì)溫度為1500℃，PID 程序控溫（自整定調(diào)節(jié) 30段可調(diào)程序控溫）；

感應(yīng)線圈可升降可更換圈數(shù)，移動(dòng)行程：200mm，移動(dòng)速度：1-3mm/h；

內(nèi)含載物坩堝，坩堝配有升降機(jī)構(gòu)，最大行程：200mm，有熱電偶實(shí)時(shí)測(cè)溫；

二、技術(shù)參數(shù)