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邁浦特機(jī)械（四川）有限公司


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離子注入冷卻用工業(yè)冷水機(jī)丨靶室冷卻

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參   考   價(jià): ￥ 125000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌邁浦特 MAIPT

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地蘇州市

塑料機(jī)械網(wǎng)采購(gòu)部電話：0571-88918531QQ:2568841715

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經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：165條

所在地區(qū)：四川成都市

聯(lián)系人：馬斌 （銷(xiāo)售工程師）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

離子注入冷卻用工業(yè)冷水機(jī)作為散熱設(shè)備，采用超純水閉環(huán)冷卻系統(tǒng)，控溫范圍覆蓋 5 - 35℃，溫度穩(wěn)定性達(dá) ±0.1℃，散熱功率覆蓋 10 - 2000kW，適配 4 - 12 英寸晶圓的離子注入機(jī)（如應(yīng)用材料、Axcelis）。通過(guò)精準(zhǔn)控制晶圓載臺(tái)與離子槍的溫度，使晶圓表面溫度穩(wěn)定在 60±2℃，摻雜均勻性（片內(nèi)偏差）≤2%。馬(技術(shù)員企微）：①⑨①⑧②②o④④⑦⑥

詳細(xì)介紹

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
離子注入作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵摻雜工藝，需將高能離子（能量 1 - 1000keV）注入晶圓表面形成精確的摻雜層。過(guò)程中，離子束與晶圓的碰撞會(huì)產(chǎn)生大量熱量（熱流密度可達(dá) 500W/cm2），若冷卻不及時(shí)，晶圓溫度超過(guò) 150℃會(huì)導(dǎo)致硅片熱損傷（晶格畸變深度≥0.5μm）、摻雜濃度偏差（≥5%），甚至引發(fā)晶圓破裂（厚度≤200μm 時(shí)破裂率≥3%），直接影響芯片良率。
離子注入冷卻用工業(yè)冷水機(jī)作為散熱設(shè)備，采用超純水閉環(huán)冷卻系統(tǒng)，控溫范圍覆蓋 5 - 35℃，溫度穩(wěn)定性達(dá) ±0.1℃，散熱功率覆蓋 10 - 2000kW，適配 4 - 12 英寸晶圓的離子注入機(jī)（如應(yīng)用材料、Axcelis）。通過(guò)精準(zhǔn)控制晶圓載臺(tái)與離子槍的溫度，使晶圓表面溫度穩(wěn)定在 60±2℃，摻雜均勻性（片內(nèi)偏差）≤2%。
二、產(chǎn)品描述
（一）超純水精密冷卻系統(tǒng)

  1. 核心配置：實(shí)現(xiàn) 5 - 35℃精確控溫，靜態(tài)溫度波動(dòng)≤±0.05℃。針對(duì)離子槍陽(yáng)極（溫度≤80℃）與晶圓載臺(tái)（溫度≤60℃）的差異化散熱需求，設(shè)計(jì)雙獨(dú)立回路，流量調(diào)節(jié)精度 ±1%，確保兩者溫差穩(wěn)定在 20±1℃，避免熱交叉污染。

  1. 微流道均溫設(shè)計(jì)：晶圓載臺(tái)冷卻板采用微流道結(jié)構(gòu)（流道直徑 0.2 - 0.5mm，間距 0.5 - 1mm），使超純水在載臺(tái)表面流速達(dá) 1.5m/s，壓力穩(wěn)定在 0.3±0.02MPa，確保晶圓中心與邊緣的溫度差≤1℃，解決離子注入時(shí)的邊緣效應(yīng)（摻雜濃度偏差≤1%）。

（二）超純凈化與防污染系統(tǒng)

  1. 水質(zhì)控制：集成多級(jí)超純水處理模塊（預(yù)處理 + RO 反滲透 + EDI 電去離子 + 終端過(guò)濾），確保冷卻水電導(dǎo)率≤0.055μS/cm，顆粒度≤0.05μm（每毫升≥0.1μm 顆粒數(shù)≤1 個(gè)），符合 SEMI F63《半導(dǎo)體制造用超純水標(biāo)準(zhǔn)》。配備在線 TOC 監(jiān)測(cè)儀（精度 ±1ppb）與溶解氧分析儀，當(dāng)水質(zhì)超標(biāo)時(shí)自動(dòng)切換至備用回路（切換時(shí)間≤0.5 秒），避免離子污染晶圓表面。

  1. 材料適配：與超純水接觸的管路、閥門(mén)采用 316L 不銹鋼（電解拋光 Ra≤0.02μm），密封件選用全氟醚橡膠（耐溫 - 20℃至 200℃），可耐受離子注入過(guò)程中產(chǎn)生的微量腐蝕性氣體（如 BF?、AsH?），無(wú)金屬離子析出（析出量≤0.01ppb）。

（三）低干擾與工藝聯(lián)動(dòng)

  1. 低振動(dòng)設(shè)計(jì)：壓縮機(jī)與機(jī)體之間采用氣浮減振裝置（減振效率≥99%），循環(huán)泵選用磁懸浮無(wú)接觸式（振動(dòng)速度≤0.005mm/s），整機(jī)運(yùn)行時(shí)的振動(dòng)振幅≤1μm，遠(yuǎn)低于晶圓載臺(tái)的抗振要求（≤5μm），避免振動(dòng)導(dǎo)致的離子束偏移（偏差≤0.1μm）。

  1. 智能聯(lián)動(dòng)控制：通過(guò) SECS/GEM 協(xié)議與離子注入機(jī)聯(lián)動(dòng)，實(shí)時(shí)接收離子束流（1 - 10mA）、注入能量信號(hào)，自動(dòng)調(diào)節(jié)冷卻參數(shù)。當(dāng)束流從 3mA 提升至 8mA 時(shí)，冷卻系統(tǒng)在 2 秒內(nèi)提高流量 30%，確保晶圓溫度波動(dòng)≤±0.5℃。10 寸觸摸屏可存儲(chǔ) 100 組工藝配方（針對(duì)不同摻雜元素：硼、磷、砷），支持遠(yuǎn)程監(jiān)控（通過(guò) EtherCAT 總線）與數(shù)據(jù)追溯（存儲(chǔ)時(shí)間≥3 年），滿(mǎn)足半導(dǎo)體行業(yè)的嚴(yán)格追溯要求。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

  1. 邏輯芯片離子注入：針對(duì) 12 英寸邏輯芯片的源漏區(qū)注入（硼離子，能量 50keV），控制晶圓載臺(tái)溫度 60±0.5℃，使摻雜濃度偏差≤1%，結(jié)深均勻性（片內(nèi)）≤0.02μm，滿(mǎn)足 7nm 制程芯片的電學(xué)性能要求。

  1. 存儲(chǔ)芯片摻雜冷卻：為 3D NAND 閃存的多晶硅通道注入（磷離子，能量 100keV）提供冷卻，通過(guò)雙回路控溫（離子槍 15℃、載臺(tái) 25℃），使堆疊層摻雜均勻性（層間偏差）≤2%，提升存儲(chǔ)單元的電荷保持能力（數(shù)據(jù)保留時(shí)間≥10 年）。

  1. 功率器件離子注入：適配 IGBT 功率器件的背面注入（砷離子，能量 300keV），控制冷卻水溫 10±0.1℃，快速帶走高熱量（熱流密度 300W/cm2），避免硅片背面損傷（粗糙度 Ra≤0.1nm），使器件擊穿電壓偏差≤3%。

  1. 化合物半導(dǎo)體注入：針對(duì) GaN-on-SiC 晶圓的離子注入（鎂離子，能量 50keV），提供超純水冷卻（電阻率 18.2MΩ?cm），使晶圓溫度穩(wěn)定在 50±1℃，減少化合物材料的熱分解（分解率≤0.1%），滿(mǎn)足射頻器件的高頻性能要求（截止頻率≥300GHz）。





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