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東譜科技（廣州）有限責任公司
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更新時間：2025-10-24 10:22:45瀏覽次數(shù)：72次
聯(lián)系我時，請告知來自 塑料機械網(wǎng)電致發(fā)光量子效率測量儀HiYield-EL是東譜科技 HiOE 綜合發(fā)光特性測量平臺中的重要成員，用于對電致發(fā)光樣品的發(fā)光特性進行精確測量。HiYield-EL系統(tǒng)能夠檢測精度對電致發(fā)光器件進行縱深測量，得到全面的測量的電致發(fā)光效率參數(shù)（量子效率EQE等）以及相關的電學、輻射度學、光度學、色度學等參數(shù)，詳情請到“東譜科技"網(wǎng)站。
產(chǎn)品關鍵詞：電致發(fā)光測試儀、電致發(fā)光量子效率測量系統(tǒng)、外量子效率測量系統(tǒng)、光譜功率分布（λ）測量系統(tǒng)、電功率密度測量系統(tǒng)、發(fā)光特性測試系統(tǒng)、電致發(fā)光量子效率測試系統(tǒng)、發(fā)光量子產(chǎn)率測量系統(tǒng)、光電特性測試、量子產(chǎn)率測量儀、積分球光譜測試儀、發(fā)光特性測量儀、IVLλ、有機發(fā)光二極管綜合性能測試系統(tǒng)、量子效率測試儀、量子效率測試系統(tǒng)
Product Keywords: Electroluminescence tester, electroluminescence Quantum efficiency Measurement System, External Quantum Efficiency Measurement System, Spectral Power Distribution (λ) measurement system, electric power density measurement system, Luminescence characteristic test system, Electroluminescence quantum Efficiency Test System, Luminescence quantum Yield Measurement System, photoelectric characteristic test, quantum Yield measurement instrument, integrating sphere Spectrum tester, Luminescence characteristic measurement instrument, IVLλ, organic light-emitting diode comprehensive performance test system, absolute quantum efficiency tester, quantum efficiency test system
產(chǎn)品簡介
電致發(fā)光量子效率測量儀HiYield-EL是東譜科技 HiOE 綜合發(fā)光特性測量平臺中的重要成員，用于對電致發(fā)光樣品的發(fā)光特性進行精確測量。HiYield 系統(tǒng)能夠檢測精度對電致發(fā)光器件進行縱深測量，得到全面的測量的電致發(fā)光效率參數(shù)（量子效率EQE等）以及相關的電學、輻射度學、光度學、色度學等參數(shù)；同時該系統(tǒng)集成了穩(wěn)定性測試模塊，可以對器件的老化過程進行測試，且同時得到器件老化過程的全面信息，即涵蓋了上述發(fā)光效率、電學、輻射度學、光度學、色度學等全面參數(shù)（通常的老化測試儀，僅對電流、電壓和相對亮度進行測試），典型的包括電致發(fā)光效率/量子效率EQE、壽命測試、CIE、CRI、CCT、光譜響應、光譜功率分布、IV、JV、總光譜輻射通量、輻射通量、光通量、光效、光譜強度、峰值波長、FHWM等，廣泛應用于各種類型的電致發(fā)光器件測量。
產(chǎn)品特點
□ 電致發(fā)光量子效率測量儀能夠以檢測精度對電致發(fā)光器件進行縱深測量，得到全面的測量的電致發(fā)光效率參數(shù)（外量子效率等）以及相關的電學、輻射度學、光度學、色度學等參數(shù)；
□ 集成了穩(wěn)定性測試模塊，可以對器件的老化過程進行測試，且同時得到器件老化過程的全面信息，即涵蓋了上述發(fā)光效率、電學、輻射度學、光度學、色度學等全面參數(shù)（通常的老化測試儀，僅對電流、電壓和相對亮度進行測試）；
□ 由軟件控制測試過程，操作便捷，圖表和數(shù)據(jù)實時顯示；
□ 可快速、可靠對樣品的測試過程進行追蹤；
□ 具有實時測量、預測量、定制測量、掃描測量、時間依賴測量等豐富的測量模式。
產(chǎn)品功能
□ 效率參數(shù)：發(fā)光效率/外量子效率EQE、電流效率、功率效率等；
□ 電學參數(shù)：電壓（V）、電流（I）、電流密度（J）、電功率（W）、電功率密度等；
□ 輻射度學：光譜功率分布、輻射通量、光通量、光視效能、峰值波長、主波長等；
□ 色度學：CIE 色度坐標、相關色溫（CCT）、MK-1（mred）、顯色指數(shù)（CRI）、RGB 顏色值等；
□ 穩(wěn)定性測試。
■ 包含測量模式
√ 電壓掃描（含分段掃描、循環(huán)掃描等）；
√ 電流掃描（含分段掃描、循環(huán)掃描等）；
√ 恒壓單點測量；
√ 恒流單點測量；
√ 穩(wěn)定性測量：不同老化時間下測量。
產(chǎn)品應用
□ 量子點發(fā)光二極管（QLED）
□ 有機發(fā)光二極管（OLED）
□ 發(fā)光二極管（LED）
□ 鈣鈦礦發(fā)光二極管（PeLED）
□ 其它各種類型的電致發(fā)光器件等
規(guī)格型號
電致發(fā)光特性測量系統(tǒng) | ||||
系列 | HiYield-EL | |||
光譜儀 | ||||
*光譜范圍 | 210-980nm | 225-1000nm | 350-1050nm | 900-1700nm |
探測器 | 制冷CCD | |||
系統(tǒng)信噪比 | 1000:1 | |||
A/D分辨率 | 16/18 bit | |||
光學分辨率 | 0.14-7.7 nm FWHM | |||
動態(tài)范圍 | 85000（典型） | |||
雜散光 | <0.08% at 600 nm;0.4% at 435 nm | |||
源表 | ||||
電壓范圍 | -210V~210V | |||
電流范圍 | -1.05A~1.05A | |||
*分辨率 | 1pA / 100nV | 10fA-10nV | ||
積分球 | ||||
*材料 | Spectralon、PTFE、Spectraflect、BaSO4等 | |||
*內(nèi)徑 | 3.3 / 6 / 10 / 15 inch可選 | |||
*反射率 | 400至1500 nm，大于99% | ＞97% | @600 nm 97-98% | ＞95% |
軟件 | ||||
測量模式 | ?電壓掃描（含分段掃描、循環(huán)掃描等）； | |||
?電流掃描（含分段掃描、循環(huán)掃描等）； | ||||
?恒壓單點測量； | ||||
?恒流單點測量； | ||||
?穩(wěn)定性測量：不同老化時間下測量。 | ||||
功能參數(shù)類別 | ?效率參數(shù)（外量子效率、電流效率、功率效率等）； | |||
?電學參數(shù)：電壓（V）、電流（I）、電流密度（J）、電功率（W）、電功率密度等； | ||||
?輻射度學：光譜功率分布、輻射通量、光通量、光視效能、峰值波長、主波長等； | ||||
?色度學：CIE色度坐標、相關色溫（CCT）、MK-1（mred）、顯色指數(shù)（CRI）、RGB顏色值等； | ||||
?穩(wěn)定性測試。 | ||||
測量夾具 | ||||
*定制夾具 | 根據(jù)客戶樣品封裝設計夾具 | |||
HiYield-EL拓展介紹
1、定義
外量子效率（External Quantum Efficiency, EQE）是光電器件（尤其是發(fā)光器件和光伏器件）的核心性能指標，其核心定義需根據(jù)器件類型區(qū)分，常見的是針對發(fā)光器件（如 LED）：器件發(fā)射到外部的光子數(shù)，與外部注入到器件中的電子 - 空穴對總數(shù)的比值。它衡量的是器件 “最終實際輸出" 的光子效率，涵蓋了內(nèi)部載流子轉化和光子逃逸的全過程。
IVLλ 是光電器件（如 LED、OLED）測試中同時測量電流（I）、電壓（V）、亮度（L）和光譜（λ）的綜合參數(shù)分析方法，其核心功能是通過多維度數(shù)據(jù)關聯(lián)，揭示器件的電學、光學和光譜特性之間的關系。
I（電流）：通過器件的電流強度，反映載流子注入效率。
V（電壓）：施加在器件兩端的電壓，與電阻、能帶結構直接相關。
L（亮度）：器件發(fā)射的可見光功率密度，單位為 cd/m2 或 nit，衡量實際發(fā)光能力。
λ（波長）：發(fā)射光的光譜分布，用于分析發(fā)光顏色（如色坐標、色溫）和效率分布（如不同波長下的量子效率）。
電致發(fā)光量子效率（Electroluminescence Quantum Efficiency, ELQE）的核心定義是：電致發(fā)光器件（如 LED、OLED）在通電工作時，發(fā)射出的光子數(shù)與外部注入到器件中的電子 - 空穴對總數(shù)的比值。它專門衡量 “電能轉化為光能" 的效率，是評估電致發(fā)光器件性能的核心指標，直接反映器件的實際發(fā)光能力。
2、電致發(fā)光量子效率測量系統(tǒng)在器件研究的應用
1. 發(fā)光材料與功能層的篩選驗證
在器件研發(fā)初期，ELQE 是判斷核心材料（發(fā)光層、傳輸層、界面修飾層）適用性的關鍵指標，直接篩選出具備高性能潛力的材料體系。
發(fā)光層材料選型：對比不同發(fā)光材料（如 OLED 的熒光 / 磷光 / 熱激活延遲熒光（TADF）材料、QLED 的量子點、鈣鈦礦 LED 的甲脒 / 銫基鈣鈦礦）的 ELQE，優(yōu)先選擇效率更高的體系。
功能層材料優(yōu)化：評估電子 / 空穴傳輸層對 ELQE 的影響。若更換傳輸層后器件 EQE 顯著提升，說明該材料改善了載流子注入平衡或減少了非輻射復合，為功能層選型提供依據(jù)。
2. 器件結構設計的優(yōu)化與驗證
器件結構（界面層、電極、封裝方式）的調(diào)整直接影響載流子復合效率和光提取效率，ELQE 的變化是驗證結構優(yōu)化效果的 “直接證據(jù)"。
載流子平衡與復合優(yōu)化：通過測量不同結構器件的 ELQE（尤其是 IQE），分析載流子注入與復合狀態(tài)。
光提取效率提升驗證：針對 “IQE 高但 EQE 低" 的器件，通過 ELQE 測量驗證光提取結構的優(yōu)化效果。
3. 器件性能的全面評估與應用導向驗證
ELQE 測量系統(tǒng)不僅能測效率，還可結合亮度、光譜、壽命等參數(shù)，實現(xiàn)器件綜合性能的評估，直接關聯(lián)實際應用需求。
效率 - 亮度 - 壽命的聯(lián)動分析：在器件實際應用中，“高效率" 需與 “高亮度"“長壽命" 平衡。
光譜與效率的關聯(lián)驗證：同步測量 ELQE 與發(fā)射光譜，分析發(fā)光顏色與效率的關系。
4. 器件失效機理與穩(wěn)定性分析
在器件老化或長期工作過程中，ELQE 的衰減趨勢是分析失效原因的 “關鍵線索"，幫助定位材料降解、結構劣化等問題。
老化過程中的效率衰減溯源：通過持續(xù)監(jiān)測器件老化過程中的 ELQE 變化，結合光譜、電學參數(shù)，判斷失效機理。
工藝缺陷的診斷：針對批量制備的器件，若部分器件 ELQE 異常偏低，結合發(fā)光均勻性測試—— 缺陷區(qū)域因載流子無法有效復合，導致局部 ELQE 為零，表現(xiàn)為 “暗斑"。
3、產(chǎn)品主要測試功能特點
（1）、外量子效率（EQE）的核心測量方法：積分球法
核心是通過積分球收集器件發(fā)射的所有光子，結合電學參數(shù)計算 “輸出光子數(shù) / 注入電子 - 空穴對數(shù)"，無需依賴標準樣品。
測量原理：
電學注入：通過源表（SourceMeter） 向器件施加特定電壓 / 電流，注入電子 - 空穴對并產(chǎn)生電致發(fā)光。
（2）、內(nèi)量子效率（IQE）的間接測量方法
IQE 無法直接測量，需通過 EQE 與光提取效率（LEE） 關聯(lián)推導，即 IQE = EQE / LEE。
（3）、相對測量法（輔助方法）
以已知 EQE 的標準器件（如商用藍光 LED）為參考，對比待測器件與標準器件的 “電致發(fā)光強度 - 電流" 曲線，結合兩者的光學收集效率差異，估算待測器件的 EQE。
（4）、光分布法
通過光分布測量技術檢測發(fā)光器件的實際亮度分布
4、測試樣例
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