四探針測(cè)試儀采用四點(diǎn)探針法與范德堡測(cè)量原理，可完成方塊電阻、電阻率、電導(dǎo)率、厚度等參數(shù)測(cè)量。設(shè)備支持自動(dòng)正負(fù)電流輸出、自動(dòng)正負(fù)電壓測(cè)量，搭配 PC 軟件與液晶顯示，適用于半導(dǎo)體、晶圓、硅片、導(dǎo)電薄膜、納米材料、太陽(yáng)能電池、觸摸屏等材料的電性能檢測(cè)。

功能特點(diǎn)

• 采用四探針法測(cè)量，數(shù)據(jù)穩(wěn)定

• 自動(dòng)輸出正負(fù)電流，自動(dòng)測(cè)量正負(fù)電壓

• 支持溫度補(bǔ)償與量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換

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• 配備 PC 軟件，可生成 2D/3D 掃描圖譜、數(shù)據(jù)報(bào)表

• 探針壓力可調(diào)，探針間距可選

• 具備限位、過載、壓力保護(hù)與異常警報(bào)

• 支持中英文界面、通訊接口數(shù)據(jù)傳輸

• 可搭配高溫環(huán)境、真空環(huán)境、晶圓載臺(tái)使用

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

ASTM F84、GB/T 1551、GB/T 1552、GB/T 26074、GB/T 14141、GB/T 37152

系列型號(hào)與技術(shù)參數(shù)

FT-3110B 全自動(dòng)四探針測(cè)試儀

• 方塊電阻：10??～2×10? Ω/□

• 電阻率：10??～2×10? Ω?cm

• 測(cè)試電流：0.1μA～1A

• 探針間距：1mm，壓力 100–500g 可調(diào)

• 載臺(tái)：2–12 寸晶圓 / 153mm 方片可選

• 測(cè)試模式：?jiǎn)吸c(diǎn)、五點(diǎn)、九點(diǎn)、面掃描、直徑掃描

• 重復(fù)性：≤0.5%

FT-330/340 系列四探針測(cè)試儀

• 方塊電阻：10??～2×10? Ω/□

• 電阻率：10??～2×10? Ω?cm

• 測(cè)試電流：0.1μA～100mA

• 精度：≤0.3%

• 探針間距：1mm/2mm/3mm 可選

• 顯示：液晶中英文界面

FT-361/371/394C 低阻 / 高阻 / 手持型

• FT-361B 低阻：10??～2×10? Ω?cm

• FT-371A 高阻：10??～10? Ω?cm

• FT-394C 手持式：充電電池，便攜測(cè)試

• 探頭：直線型、方型可選，材質(zhì)鎢鋼 / 鍍金銅針

FT-351 高溫四探針測(cè)試儀

• 溫度范圍：常溫～1200℃可選

• 控溫精度：±1℃

• 電極：鎢電極、鉑銠電極可選

• 樣品臺(tái)：高溫陶瓷，適配固 / 液體樣品

• 可測(cè)高溫下電阻、電阻率、電導(dǎo)率曲線

FT-3120B 半自動(dòng)四探針測(cè)試儀

• 電阻率：10??～2×10? Ω?cm

• 探針壓力：100–550g 可調(diào)

• 支持晶片尺寸：2–12 寸晶圓 / 156mm 方片

• 模式：自動(dòng) / 手動(dòng)單點(diǎn)測(cè)試

• 保護(hù)：限位、壓力防護(hù)

適用材料

硅片、晶圓、非晶硅、微晶硅、半導(dǎo)體襯底、擴(kuò)散片、鈍化片、PN 結(jié)、導(dǎo)電薄膜、ITO 膜、OLED、LCD、太陽(yáng)能電池、鐵電材料、納米材料、金屬鍍層等。

適用場(chǎng)景

半導(dǎo)體工廠、新能源企業(yè)、材料研發(fā)、高校實(shí)驗(yàn)室、科研院所、質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、生產(chǎn)質(zhì)控。

可選配件

• 四探針探頭、鎢鋼針、鍍金銅針

• 2–12 寸晶圓載臺(tái)、方片載臺(tái)

• 標(biāo)準(zhǔn)電阻、測(cè)試線、分析軟件

• 電腦打印機(jī)、計(jì)量證書、延保服務(wù)

• 高溫樣品臺(tái)、高溫電極、氣氛保護(hù)裝置

粉體與材料配套方案

可搭配粉末電阻率測(cè)試儀、壓實(shí)密度儀、振實(shí)密度儀、流動(dòng)測(cè)試儀等設(shè)備，組成完整電性能與物性檢測(cè)系統(tǒng)