1、主要特點(diǎn)

• 數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)、MEMS工藝制造

• SiO₂層絕緣隔離擴(kuò)散硅敏感電阻

• 消除PN結(jié)反向飽和漏電流、時(shí)漂特性?xún)?yōu)化

• 適應(yīng)高寬工作溫度范圍

• 自補(bǔ)償恒流激勵(lì)滿(mǎn)量程熱漂移

• 多種惠斯登電橋開(kāi)/閉合連接形式

• 應(yīng)力匹配玻璃襯片隔離

• 表壓、絕壓、差壓類(lèi)型齊全

• 覆蓋低、中、高寬壓力測(cè)量量程

2、主要技術(shù)指標(biāo)

 

序號(hào)	項(xiàng)目	規(guī)格指標(biāo)				備注
1	基準(zhǔn)壓力量程	表壓、差壓		絕壓
		0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa		100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、150MP
2	量程過(guò)載能力	≥3倍基準(zhǔn)量程（≤10MPa）； ≥1. 5倍基準(zhǔn)量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基準(zhǔn)量程（≥60MPa）				1*
3	橋路電阻	3～5kΩ
5	零點(diǎn)輸出	≤ ±25mV				2*
6	滿(mǎn)量程輸出	≥20mV（20kPa、35kPa）；  ≥30 mV（20kPa、30kPa）；   ≥50 mV（其它基準(zhǔn)量程）				2*
7	準(zhǔn)確度	≤ ±0.2%FS （其它基準(zhǔn)量程）；   ≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）  ± 0.5%FS（≤10kPa）				2*、3*
8	靈敏度對(duì)稱(chēng)性	≤ ±0.2%FS				3*
9	工作溫度范圍	-55～+150℃；
10	熱零點(diǎn)漂移	≤ 1%FS/55℃（≤10kPa）；      ≤ 0.8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）				4*、5*
11	熱靈敏度漂移	≤2%FS/55℃（≤10kPa）；       ≤ 1%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）				4*、5*
12	短期穩(wěn)定性	≤±0.03%FS/8h				2*
13	激勵(lì)電源	恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V
14	電橋連接形式	閉橋
15	芯片表面尺寸	≤3.5×2.75（mm）	≤2.3×2（mm）		≤1.55×1.55（mm）	6*

 

                  注：1^*. 150MPa量程過(guò)載為本量程上限；          4^*. 1mADC恒流激勵(lì)，恒溫25℃；

                             2^*. 5VDC恒壓激勵(lì)，恒溫25℃；                5^*. 55℃溫區(qū)為-30～25℃或25～80℃；

                             3^*. 非線性數(shù)據(jù)計(jì)算為最小二乘法；            6^*.硅片厚度c=500μm。

注：可提供定制服務(wù)，如有需求請(qǐng)與營(yíng)銷(xiāo)人員聯(lián)系。