ID2006芯片是一款基于P襯底、P外延工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片,具有獨(dú)立的高低邊參考輸出通道。該浮動通道可用于驅(qū)動高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET,工作電壓高達(dá)200V。輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至33V。具有大電流輸出能力。
ID2006芯片特性
■ 高側(cè)浮動偏移電壓200V
■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V
■ dV/dt抗干擾能力±50V/nsec
■ 芯片工作電壓范圍6V~18V
■ 拉/灌電流能力典型值1A/1A
■ VS負(fù)偏壓能力典型值-9V
id2006驅(qū)動芯片封裝及引腳
id2006驅(qū)動芯片封裝及引腳

驅(qū)動芯片id2006工作原理圖
備注1:RB值建議使用10Ω,BSD采用超快恢復(fù)或肖特基二極管。
備注2:CBS值根據(jù)PWM控制條件而定?! ?/div>
備注3:驅(qū)動電路應(yīng)根據(jù)所使用的MOSFETs進(jìn)行調(diào)整?! ?/div>
備注4:MOSFETs柵極和源極之間的下拉電阻,建議為10kΩ。
備注5:HIL/LIN和MCU之間的電阻器,建議值為100-1kΩ。
應(yīng)用領(lǐng)域
■ 中小型功率電機(jī)驅(qū)動
■ 功率MOSFET驅(qū)動
■ 半橋功率逆變器
■ 全橋功率逆變器
■ 任意互補(bǔ)驅(qū)動轉(zhuǎn)換器
ID2006 200V半橋驅(qū)動芯片是高低側(cè)半橋驅(qū)動芯片,具有防直通功能、輸入功率電壓高達(dá) 200V, 6-18V 寬范圍工作電壓范圍、1A/1A 拉灌電流能力、輸入兼容 3.3V, 5V 邏輯工作電平,典型應(yīng)用于電動車、電動平衡車等領(lǐng)域,更多id2006驅(qū)動芯片產(chǎn)品手冊及應(yīng)用資料請向驪微電子申請。>>



















