ID1123D單管自舉驅(qū)動芯片集成自舉二極管有DFN3×3-8L和SOP8兩種封裝,是18V半橋柵極驅(qū)動芯片,高側(cè)浮動偏移電壓18V,輸入邏輯兼容3.3V和5V,3A/3.5A 拉灌電流能力,可兼容替代ON/安森美NCP81155,廣泛應用于、無線充電器、DCDC變換器等領域。
ID1123D 自舉驅(qū)動芯片特點
■ 較寬的工作電壓范圍
■ 高側(cè)浮動偏移電壓18V
■ 輸入邏輯兼容3.3V和5V
■ 使能功能引腳
■ 自適應死區(qū)防直通電路
■ HO輸出與N同相,LO輸出與IN反相
■ 一路PWM信號控制兩路輸出
■ 所有通道延時匹配功能
封裝/訂購信息

ID1123D典型電路圖

應用領域
■
■ 無線充電器
■ DCDC變換器
ID1123D自舉驅(qū)動芯片其浮地通道驅(qū)動設計能適應高達18V的BUS電壓,可通過控制使能引腳(EN)為低電平來關斷驅(qū)動器的輸出,內(nèi)部自適應死區(qū)電路可有效防止功率管共態(tài)導通并進一步降低了開關損耗,是一款單相高壓功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,其被優(yōu)化用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)功率晶體管。




















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