PN8370產(chǎn)品描述:
PN8370集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)
PN8370集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)
小于30mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿(mǎn)足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過(guò)CS腳的RCS電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能,包含逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開(kāi)/短路保護(hù)等。
PN8370產(chǎn)品特點(diǎn):
內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,小于30mW空載損耗(230VAC)
采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率,滿(mǎn)足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)
無(wú)需額外補(bǔ)償電容
無(wú)音頻噪聲
智能保護(hù)功能
過(guò)溫保護(hù) (OTP)
VDD欠壓&過(guò)壓保護(hù) (UVLO&OVP)
逐周期過(guò)流保護(hù) (OCP)
CS開(kāi)/短路保護(hù) (CS O/SP)
開(kāi)環(huán)保護(hù) (OLP)
PN8370典型應(yīng)用圖:

PN8370管腳定義:
| SOP-7 管腳標(biāo)號(hào) | DIP-8 管腳標(biāo)號(hào) | 管腳名 | 管腳功能描述 |
| 1 | 1 | VDD | 工作電壓輸入引腳 |
| 2 | 2 | NC | 空腳 |
| 3 | 3 | FB | 反饋引腳,輔助繞組電壓通過(guò)電阻反饋穩(wěn)定輸出 |
| 4 | 4 | CS | 電流檢測(cè)引腳 |
| 5,6 | 5,6 | SW | 智能功率MOSFET Drain端引腳,跟變壓器初級(jí)相連 |
| 7 | 7,8 | GND | 地電位 |
PN8370典型功率:

PN8370極限工作范圍:
VDD 腳耐壓……….….-0.3~27V
SW 腳耐壓………….…650V
FBCS 腳耐壓……..……-0.3~5.5V
結(jié)工作溫度范圍…………-40~150℃
存儲(chǔ)溫度范圍………………-55~150℃
封裝熱阻 (SOP-7)……………….. 80°C/W
封裝熱阻 (DIP-8)…………….. 40°C/W
管腳焊接溫度 (10秒)…………260℃
ESD 能力(HBM) ……………….4.0kV
漏極脈沖電流……………3.0A
更多PN8370_5V2A、5V2.4A、12V1A充電器IC方案及相關(guān)資料,可以咨詢(xún)驪微電子在線客服。。。
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