PN8680M概述:
PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片集成超低待機(jī)功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8680M為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。PN8680低功耗電源芯片內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能,包含逐周期過流保護(hù)、過壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。
PN8680M產(chǎn)品特征:
■ 內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 內(nèi)置高壓啟動電路,小于50mW空載損耗(230VAC)
■ 采用多模式技術(shù)提高效率,滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)
■ 全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
■ 原邊反饋可省光耦和TL431
■ 恒壓、恒流、輸出線補償外部可調(diào)
■ 無需額外補償電容
■ 無音頻噪聲
■ 智能保護(hù)功能
過溫保護(hù) (OTP)
VDD欠壓&過壓保護(hù) (UVLO&OVP)
逐周期過流保護(hù) (OCP)
CS開/短路保護(hù) (CS O/SP)
開環(huán)保護(hù) (OLP)
PN8680M封裝/訂購信息:

注:PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片輸出功率是在環(huán)境溫度45℃的密閉式應(yīng)用情形下測試。
PN8680M管腳定義:
| 管腳名 | 管腳標(biāo)號 | 管腳功能描述 |
| VDD | 1 | 工作電壓輸入引腳 |
| GND | 2 | 地電位 |
| FB | 3 | 反饋引腳,輔助繞組電壓通過電阻反饋穩(wěn)定輸出 |
| CS | 4 | 電流檢測引腳 |
| SW | 5,6,7,8 | 智能功率MOSFET Drain端引腳,跟變壓器初級相連 |
PN8680M典型應(yīng)用電路圖:

PN8680M極限工作范圍:
VDD 腳耐壓……………….……………………-0.3~40V
FBCS 腳耐壓………………...……….…………-0.3~5.5V
SW 腳耐壓……………………….…….…..…. -0.3~650V
結(jié)工作溫度范圍……….…..….…..…...….….-40~150℃
存儲溫度范圍………………………....…. ….-55~150℃
管腳焊接溫度 (10秒)……………..……………...260℃
封裝熱阻RθJC (SOP-8)…...........……………….80℃/W
人體模式ESD 能力(1)(HBM)……..…...….……... ±4kV
漏極脈沖電流(Tpulse=100us)………….…….…..…..…3A
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