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蘇州安而森試驗設備有限公司


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IGBT/SiC 模塊 H3TRB高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號

品       牌

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所  在  地蘇州市

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更新時間:2026-04-19 15:11:24瀏覽次數(shù):84次

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產(chǎn)品簡介

IGBT/SiC 模塊 H3TRB高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)

詳細介紹

高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)專為 IGBT/SiC 模塊設計,可通過適配不同老化板,完成各類封裝形式模塊的高溫高濕反偏可靠性測試、高溫反偏試驗,老化篩選及雙 85 試驗,精準驗證模塊在濕熱偏置工況下的長期穩(wěn)定性。

核心參數(shù)

環(huán)境能力

高低溫(濕熱)箱:-70℃~+180℃ / 10~98% RH,覆蓋寬幅溫濕度場景

試驗容量

8 -12通道,單板最多 12 工位、整機最多 144 工位,適配批量測試需求

電源配置

3臺正壓 + 3臺負壓電源 + Vg 夾斷電壓(60V),量程 Max±2000V,滿塊偏置需求

檢測精度

電壓范圍:0~±2000.0V(分辨率 0.1V,精度 ±(0.5%+0.2V))

漏電流:0.001μA~50.0mA(分辨率 0.001μA,精度 ±(0.1% rdg.+0.01)μA),精準捕捉微弱性能變化

核心優(yōu)勢

適配 IGBT/SiC 模塊專屬測試場景,寬環(huán)境范圍 + 高精度檢測,助力快速篩選模塊潛在失效風險,提升產(chǎn)品可靠性驗證效率。


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