ID7U603單極步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片,浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V,10-20V 寬范圍工作電壓范圍,輸入兼容 3.3V、5V 邏輯工作電平,拉灌電流典型值210mA/360mA,具有防直通保護(hù)及欠壓保護(hù)功能,可兼容代換IR2104,典型應(yīng)用于高壓風(fēng)機(jī)和泵、步進(jìn)馬達(dá)等領(lǐng)域。
ID7U603單極步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片特性
■ 浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V
■ 拉灌電流典型值210mA/360mA
■ 兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平
■ dV/dt抗干擾能力±50 V/nsec
■ 芯片工作電壓范圍10V~20V
■ VCC和VBS具有欠壓保護(hù)功能
■ 防直通邏輯保護(hù),死區(qū)時(shí)間典型值520ns
■ 所有通道延時(shí)匹配功能
id7u603sec-r1驅(qū)動(dòng)芯片封裝及腳位圖

ID7U603電路圖

應(yīng)用領(lǐng)域
■ 中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)
■ 功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)
■ 照明鎮(zhèn)流器
■ 半橋驅(qū)動(dòng)逆變器
■ 全橋驅(qū)動(dòng)逆變器
ID7U603 600V 單極步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片可用于驅(qū)動(dòng)2個(gè)N型功率MOSFET或IGBT構(gòu)成的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。輸入信號(hào)可以兼容CMOS和LSTTL信號(hào),邏輯輸入電平低至3.3V,具有大電流輸出能力和輸入端有效電平邏輯互鎖功能,能夠有效防止輸出功率管共態(tài)導(dǎo)通。芯片良好的延時(shí)匹配功能能夠輕松適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合,更多ID7U603高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片規(guī)格書、ID7U603電路圖等資料請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>




















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